群智询问 ：预计二季度Memory费用 继续上行 NAND涨势延续 DRAM费用 分化

智通财经APP获悉
，群智咨询发文称，2026年第二季度 ，全球Memory市场延续超级存储周期
，供需短缺贯穿全季度，价格呈显著分化特征
。AI算力需求主导产能分配 ，存储原厂优先倾斜高利润产品
，消费电子用DRAM与NAND供应紧张未缓解。群智咨询预测，二季度Memory价格继续上行但涨幅分化、部分品类价格涨幅趋缓 。

各产品价格趋势具体分析如下：

DRAM：价格分化显著 ，涨势逐步趋缓

2026 年第二季度DRAM价格延续上涨但分化明显
，以 LPDDR4X/LPDDR5X 为主的消费电子 DRAM 合约价延续强劲的上涨趋势，其中手机应用端 DRAM 合约价环比上涨约90% ，而DDR4合约价价格涨幅较一季度趋缓至约50%
。

需求端：AI服务器对存储资源的“虹吸式
”需求仍为核心驱动力
，群智咨询预测，2026年AI服务器DRAM需求同比大幅增长105% ，远超行业整体水平，带动HBM及DDR5等高带宽内存需求持续旺盛。消费电子领域需求呈现分化
，中高端智能手机 、平板电脑及笔记本PC等产品难以下调存储规格，LPDDR4X/LPDDR5X/DDR5容量需求刚性较强 ，无法通过降规缓解成本压力；而低端消费电子需求受价格上涨抑制明显
，消费电子DRAM整体需求下滑明显 。

供应端：随着HBM4进入量产阶段，其工艺复杂度更高
、对晶圆产能单位消耗更大 ，进一步挤压LPDDR系列产能空间
。同时
，存储原厂库存水位处于历史低位，扩充产能有限且优先供应HBM需求增长 ，进一步收紧消费端LPDDR供应。

整体来看
，DRAM供需短缺问题在第二季度仍难以缓解，价格延续上涨态势但分化加剧 。DDR4涨幅率先收窄 ，LPDDR4X/LPDDR5X维持高幅度补涨
。

NAND：涨势延续
，供给缺口凸显

群智咨询预计 2026 年第二季度，NAND闪存价格将延续一季度的上涨态势 ，涨势强劲且供给缺口显著，其中手机应用端 NAND 价格环比上涨约100%
，消费级 SSD 价格环比上涨约66%。

需求端：AI算力需求爆发下，企业级SSD作为高附加值产品 ，在产能分配中获得优先保障
，订单增长未见放缓，价格同步上行 ，进一步带动消费级NAND市场紧张情绪 。消费端来看
，大容量存储配置趋势持续深化，智能手机、PC等终端产品对UFS 、eMMC及消费级SSD的需求刚性较强 ，中高端机型难以降配
，进一步稳固了消费端对NAND的需求
。此外，eMMC/UFS因与Enterprise SSD制程重叠但利润远低于后者 ，供给缺口居全产品线之冠
，进一步推动价格上涨。

供应端：头部存储厂商优先将3D NAND先进制程产能分配给企业级SSD等高利润产品，消费电子用NAND产能受到明显排挤 。

短期来看 ，AI驱动的产能结构性倾斜趋势难以逆转，新产能释放存在周期性滞后
，消费电子终端用NAND供需缺口难以得到实质性缓解，第二季度价格将延续强劲上涨态势。